《納米快報》：一維半導體納米結構光子學

在基金委青年基金、納米重點項目和國家納米測試基金及973課題的支持下，湖南大學納米技術研究中心潘安練、鄒炳鎖教授等團隊成員和北京大學、國家納米中心以及德國馬普研究所合作，在一維半導體納米結構光子學的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半導體一維納米結構中光子輸運的概念，建立光傳播的理論模型，并在實驗上通過納米結構摻雜、晶化程度以及光傳輸距離的控制，從而進一步證實了光在一維半導體體系中自吸收輸運的機制。該研究成果對解決一維半導體納米結構器件的穩定性和調控激射顏色有著重要的意義，表明一維合金半導體納米結構將在顏色可調諧的納米光發射器、頻率轉換器、多頻信號傳感器等方面有著潛在的重要應用。
 
該成果已被國際頂級納米期刊——《納米快報》（Nano Letter）所接收發表。該團隊在高質量的硒化鎘納米帶單元器件上成功實現了穩定的紅光激光發射，此研究成果向開發實用的納米激光器邁出了重要的一步。 該工作已被美國化學學會的《物理化學雜志》（Journal of Physical Chemistry）所接收發表。
 
半導體納米結構，在新型光發射器件，探測器、場效應晶體管和MOS器件等領域中具有潛在的重要應用，近年來受到國際材料界的廣泛關注。特別是一維和準一維的半導體納米線和納米帶，在新一代集成電路的構建和納米光電子學領域中將占有不可替代的位置，它不僅可以用作單個集成化功能單元器件，而且還可充當各器件單元之間的聯接線路。尤其區別于其它一維納米結構是，一維半導體納米結構將在納米光子學器件上有著重要的應用。