14nm 繼續FinFET。下面是英特爾的14nm晶體管的SEM橫截面圖，大家感受一下，fin的寬度平均只有9nm。
當然，在所有后代的技術節點中，前代的技術也是繼續整合采用的。所以現在，在業界和研究界，一般聽到的晶體管，都被稱作high-k/metal gate Ge-strained 14 nm FinFET，整合了多年的技術精華。
而在學術界，近些年陸續搞出了各種異想天開的新設計，比如隧穿晶體管，負電容效應晶體管，碳納米管，等等。
所有這些設計，基本是4個方向：材料、機理、工藝、結構。而所有的設計方案，其實可以用一條簡單的思路概括，就是前面提到的那個SS值的決定公式，里面有兩項相乘組成:
因此，要么改善晶體管的靜電物理(electrostatics)，這是其中一項，要么改善溝道的輸運性質(transport)，這是另一項。
而晶體管設計里面，除了考慮開關性能之外，還需要考慮另一個性能，就是飽和電流問題。很多人對這個問題有誤解，以為飽不飽和不重要，其實電流能飽和才是晶體管能夠有效工作的根本原因，因為不飽和的話，晶體管就不能保持信號的傳遞，因此無法攜帶負載，換言之只中看，不中用，放到電路里面去，根本不能正常工作的。
舉個例子，有段時間石墨烯晶體管很火，石墨烯作溝道的思路是第二項，就是輸運，因為石墨烯的電子遷移率遠遠地完爆硅。但直到目前，石墨烯晶體管還沒有太多的進展，因為石墨烯有個硬傷，就是不能飽和電流。但是，去年貌似聽說有人能做到調控石墨烯的能帶間隙打開到關閉，石墨烯不再僅僅是零帶隙，想來這或許會在晶體管材料方面產生積極的影響。
在去年的IEDM會議上，臺積電已經領先英特爾，發布了7nm技術節點的晶體管樣品，而英特爾已經推遲了10nm的發布。當然，兩者的技術節點的標準不一樣，臺積電的7nm其實相當于英特爾的10nm，但是臺積電率先拿出了成品。三星貌似也在會上發表了自己的7nm產品。
可以看出，摩爾定律確實放緩了，22nm是在2010左右出來的，到了現在，技術節點并沒有進步到10nm以下。去年，ITRS已經宣布不再制定新的技術路線圖，換言之，權威的國際半導體機構已經不認為，摩爾定律的縮小可以繼續下去了。
這就是技術節點的主要現狀。
技術節點不能進步，是不是一定就是壞事？其實不一定。28nm這個節點，其實不屬于前面提到的標準的dennard scaling的一部分，但是這個技術節點，直到現在，仍然在半導體制造業界占據了很大的一塊市場份額。
臺積電、中芯國際等這樣的大代工廠，都是在28nm上玩得很轉的。為何呢？因為這個節點被證明是一個在成本、性能、需求等多方面達到了比較優化的組合的一個節點，很多芯片產品，并不需要使用過于昂貴的FinFET技術，28nm能夠滿足自己的需求。
但是有一些產品，比如主流的CPU、GPU、FPGA、memory，其性能的提升有相當一部分來自于工藝的進步。所以再往后如何繼續提升這些產品的性能，是很多人心中的問號，也是新的機會。