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  • 發布時間:2024-06-06 15:05 原文鏈接: 二維半導體三維集成研究取得新成果

    經過數十年發展,半導體工藝制程不斷逼近亞納米物理極限,但傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路,從而獲得三維集成技術的突破,是國際半導體領域積極探尋的新路徑之一。

    由于硅基晶體管制備工藝采用單晶硅表面離子注入的方式,較難實現在一層離子注入的單晶硅上方再次生長或轉移單晶硅。雖然可以通過三維空間連接電極、芯粒等方式提高集成度,但是關鍵的晶體管始終分布在最底層,無法獲得z方向的自由度。

    近日,山西大學教授韓拯、中國科學院金屬研究所研究員李秀艷、遼寧材料實驗室副研究員王漢文、中山大學教授侯仰龍、中國科學院大學教授周武等合作,提出了全新的基于界面耦合(理論表明量子效應在其中起到關鍵作用)的p-摻雜二維半導體方法。該方法采用界面效應的顛覆性路線,工藝簡單、效果穩定、可以有效保持二維半導體本征的優異性能。進一步,利用垂直堆疊的方式,該研究制備了由14層范德華材料組成包含4個晶體管的互補型邏輯門NAND以及SRAM等器件。這一創新方法打破了硅基邏輯電路的底層“封印”,基于量子效應獲得了三維垂直集成多層互補型晶體管電路,為后摩爾時代未來二維半導體器件的發展提供了思路。

    5月29日,相關研究成果以Van der Waals polarity-engineered 3D integration of 2D complementary logic為題在線發表在《自然》(Nature)上。研究工作得到國家重點研發計劃納米專項、國家自然科學基金以及沈陽材料科學國家研究中心、遼寧材料實驗室、山西大學量子光學與光量子器件國家重點實驗室等的支持。

    二維半導體三維集成研究取得重要進展

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