當用XPS 測量絕緣體或者半導體時,由于光電子的連續發射而得不到電子補充,使得樣品表面出現電子虧損,這種現象稱為“荷電效應”。荷電效應將使樣品表面出現一穩定的電勢Vs,對電子的逃離有一定束縛作用。因此荷電效應將引起能量的位移,使得測量的結合能偏離真實值,造成測試結果的偏差。
在用XPS 測量絕緣體或者半導體時,需要對荷電效應所引起的偏差進行校正(荷電校正的目的),稱之為“荷電校正”。