隨著變形量的增加,位錯密度繼續增加,內部儲存能也繼續增加。當變形量達到一定程度時,將使奧氏體發生另一種轉變—動態再結晶。 ·動態再結晶的發生與發展,使更多的位錯消失,奧氏體的變形抗力下降,直到奧氏體全部發生了動態再結晶,應力達到了穩定值。