3．靜態與動態效能
以下將比較兩種技術的靜態和動態特質，設定條件為一般運作，接面溫度TJ ＝ 110 °C。
圖5為兩種元件的輸出靜態電流電壓特性曲線（V－I curves）。兩相比較可看出無論何種狀況下碳化硅MOSFET的優勢都大幅領先，因為它的電壓呈現線性向前下降。
即使碳化硅MOSFET必須要有VGS ＝ 18 V才能達到很高的RDS（ON），但可保證靜態效能遠優于硅基IGBT，能大幅減少導電耗損。
圖5：比較動態特質
兩種元件都已經利用雙脈波測試，從動態的角度加以分析。兩者的比較是以應用為基礎，例如600 V匯流排直流電壓，開啟和關閉的dv／dt均設定為5 V／ns。
圖6為實驗期間所測得數據之摘要。跟硅基IGBT相比，在本實驗分析的電流范圍以內，碳化硅MOSFET的開啟和關閉能耗都明顯較低（約減少50％），甚至在5 V／ns的狀況下亦然。
圖6：動態特色的比較
4．電熱模擬
為比較兩種元件在一般工業傳動應用的表現，我們利用意法半導體的PowerStudio軟體進行電熱模擬。模擬設定了這類應用常見的輸入條件，并使用所有與溫度相關的參數來估算整體能源耗損。
用來比較的工業傳動，標稱功率為20 kW，換流速度為5 V／ns（輸入條件如表2所列）。
表2：模擬條件
設定4kHz和8 kHz兩種不同切換頻率，以凸顯使用解決方案來增加fsw之功能有哪些好處。
因為考量到隨著時間推移，所有馬達通常要在不同的作業點運轉，所以我們利用一些基本假設來計算傳動的功率損耗。依照定義IE等級成套傳動模組（CDM）的EN 50598－2標準，還有新型IES等級的電氣傳動系統（PDS），我們將兩個作業點套用在模擬中：一是50％扭矩所產生的電流，第二個則為100％，對我們的應用來說這代表輸出電流分別為24和40 Arms。
若以最大負載點而論（100％扭力電流），兩種元件的散熱片熱電阻都選擇維持大約110 °C的接面溫度。
圖7在50％扭力電流和切換頻率4－8 kHz的狀況下，比較了碳化硅MOSFET和硅基IGBT解決方案的功率耗損。
圖7：50％扭力電流下每個開關的功率耗損