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  • 發布時間:2023-03-15 12:13 原文鏈接: 元素半導體的結構特性

    元素半導體(element semiconductor)是由同種元素組成的具有半導體特性的固體材料,即電阻率約為10-5~107Ω·cm,微量雜質和外界條件變化都會顯著改變其導電性能的固體材料。周期表中,金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導體性質的元素,硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)、灰-錫(Sn)、磷(P)、灰-砷(As)、黑-銻(Sb)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、碘(I)。 

    但其中的大多數是不穩定的,硫、磷、砷、銻、碘都易揮發,灰一錫低溫下才穩定,現認為是禁帶寬度為零的典型半金屬材料,室溫下轉變成無半導體性質的白-錫。硼的熔點太高,不易制備單晶。只有鍺、硅性能優越.是獲得了廣泛應用的典型元素半導體材料。此外,硒在電子照相和光電領域中也獲得了新的用途。


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