雖然，光磁電效應與霍爾效應相似，但是它們是不同的效應。
體現在三個方面，1）光磁電效應中在磁場作用下移動的是電子空穴對，而霍爾效應中移動的是自由電子。2）針對材料不同，一個是半導體材料，一個是導體材料。3）使用情形也不一樣，一個需要光照，一個不需要。
利用光磁電效應可制成半導體紅外探測器。這類半導體材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。
