表面吸附
吸附共沉淀(adsorption coprecipitation)是由于沉淀表面吸附引起的共沉淀。
在沉淀晶格內部，正負離子按照一定的順序排列，離子都被異電荷離子所飽和，處于靜電平衡狀態。而處于沉淀表面，棱角的離子電荷未達到平衡，它們的殘余電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。沉淀顆粒越小，表面積越大，吸附溶液里異電荷離子的能力就越強。
這種吸附是有選擇性的，遵循吸附規則：
與構晶離子生成溶解度小的化合物的離子優先吸附。例如：用過量的氯化鋇與硫酸鉀溶液作用時，生成了硫酸鋇。在硫酸鋇的表面優先吸附鋇離子，使沉淀表面帶上了正電荷，再吸附溶液里的異電荷離子氯離子，構成中性雙電層。氯化鋇過量越多，吸附共沉淀也就越嚴重，若用硝酸鋇代替氯化鋇，且過量程度相同，則硝酸鋇的吸附共沉淀會更嚴重，這是因為硝酸鋇的溶解度小于氯化鋇。
濃度相同的離子，帶電荷越多的離子，越容易被吸附。
電荷相同的離子，濃度越大，越容易被吸附。同時沉淀的總表面積越大，溫度越低，吸附雜質量越多。
包埋或吸留
包埋共沉淀(occlusion coprecipitation)是由于沉淀形成速度快，吸附在沉淀表面的雜質或者母液來不及離開，被隨后長大的沉淀所覆蓋，包藏在沉淀內部引起的共沉淀。如生成硫酸鋇時，在沉淀中包埋有大量的陰離子。由于硝酸鋇的溶解度小于氯化鋇，因此，硝酸鋇被包藏的量一般更多。晶體成長過程中，由于晶面缺陷和晶面生長的各項不均勻性，也可將母液包埋在晶格內部的小孔穴中而共沉淀。
生成混晶或固溶體
混晶共沉淀(mixed crystal coprecipitation)是如果被吸附的雜質與沉淀具有相同的晶格，相同的電荷或者離子半徑，雜質離子可以進入到晶格排列引起的共沉淀。例如：硫酸鋇與硫酸鉛，氯化銀與溴化銀都可以形成混晶，這種混晶稱為同形混晶。
高錳酸鉀可以隨硫酸鋇沉淀形成而進入硫酸鋇沉淀的晶格，使沉淀顯粉紅色，用水洗滌不褪色，說明雖然兩者電荷不同，但離子半徑接近，可以生成固溶體。有些混晶，雜質離子或者原子并不位于正常晶格的位置上，而是位于晶格空隙中，這種混晶稱為異性混晶。