• <table id="4yyaw"><kbd id="4yyaw"></kbd></table>
  • <td id="4yyaw"></td>
  • 發布時間:2022-09-29 17:54 原文鏈接: 關于電子轟擊離子源的機理介紹

      極面約0.2特斯拉的磁鐵如NS相吸放置,離子束通過的中,位置具有較大的場強,由此引起離子束的質量歧視效應(在到選出口縫前由于電子束聚焦磁鐵的影響,離子束已按質荷比偏離,因而輸出的離子流與質量有關)。

      在性能要求很嚴的離子源中,在設計和裝配時應充分考慮這一位移量和出射角的變化,用機械方法糾正。有的離子源為了解決這一向題,通常把引出電極(甚至聚焦電極、偏轉電極等)的左右兩半部加以絕緣,并加上相對可調的電位,提高離子束的引出效率和聚焦性能,使離子束準直地通過出口孔。

      但是在小型四極質譜計中,為使離子源結構簡單、可靠,通常都不采取上述措施。磁場對增加電子束對氣體的電離幾率是有效的,增加了引出束流,但磁場對離子束的偏轉卻改變了引出束流的出射位置和出射角,這樣反而減小了引出束流,尤其是出射角的偏斜使后果最為嚴重。

      在離子源后80mm處安裝平板檢測離子流的方法對于0.2mm的位移量和偏離軸線的偏轉角反應不會十分敏感,因而未出現異常。而在離子源后加一個性能不十分好的長163mm的四極桿后,實際通道比前者大為減小,不僅把不適合四授桿的大部分離子流濾掉,而且由于位移和出射角的變化又增加了部分損失,這部分流強在不加磁場時可以通過四極桿,因此檢測到的流強很弱甚至檢測不到。

  • <table id="4yyaw"><kbd id="4yyaw"></kbd></table>
  • <td id="4yyaw"></td>
  • 调性视频