等離子體系統效應的過程轉換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒有大的縫隙。
將夾具平穩放入反應室的支架上，關好反應室的蓋子。
等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下：
熱探針和N型半導體接觸時，傳導電子將流向溫度較低的區域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言將是正的。
同樣道理，P型半導體熱探針觸點相對于室溫觸點而言將是負的。
此電勢差可以用簡單的微伏表測量。
熱探針的結構可以是將小的熱線圈繞在一個探針的周圍，也可以用小型的電烙鐵