在銳鈦相TiO2納米線有序陣列中觀察到室溫條件下三個新的熒光帶，峰位分別為425nm, 465nm和525nm。揭示三個熒光帶產生的來自于自束縛激子、氧空位和F+中心。
利用電沉積法成功地在氧化鋁模板中制備了不同直徑 Bi 納米線陣列。發現20nm 的Bi納米線電阻曲線在50 K出現最大值，50nm 的Bi納米線電阻曲線在258K出現最小值。且當T>50K時， 20nm 和50nm 樣品的電阻曲線是負溫度依賴，而70nm樣品是正溫度依賴，這表明在50—70nm附近Bi納米線可能發生了半導體—半金屬轉變。
磁電阻研究結果表明，在100K, 50nm樣品的巨磁電阻達到45%，在4.2K附近, 20nm直徑 Bi 納米線陣列的磁電阻出現異常。