FIB介紹
聚焦離子束技術（Focused Ion beam，FIB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實現材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展迅速，而納米加工就是納米制造業的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束技術（FIB）利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、離子注入、切割和故障分析等。、
應用領域
（1）線路修改-在IC生產工藝中，發現微區電路蝕刻有錯誤，可利用FIB的切割，斷開原來的電路，再使用定區域噴金，搭接到其他電路上，實現電路修改，最高精度可達5nm。
（2）產品表面存在微納米級缺陷，如異物、腐蝕、氧化等問題，需觀察缺陷與基材的界面情況，利用FIB就可以準確定位切割，制備缺陷位置截面樣品，再利用SEM觀察界面情況。
（3）微米級尺寸的樣品，經過表面處理形成薄膜，需要觀察薄膜的結構、與基材的結合程度，可利用FIB切割制樣，再使用SEM觀察。
FEI V400
使用設備：FEI V400
可以針對14nm,16nm,28nm, 40nm, 45nm, 65nm, .13um, .18um, .25um, .35um 制程進行線路改造。適用的封裝形式BGA, QFN, CSP, WLBGA, Die and board Level, 8” wafer, packaged “flip-chip”
| FIB典型照片 | |
| 觀測 | 線路修改 |
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| FIB配合TEM進行復雜操作 | |
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文章引用自正衡檢測官網
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