化合物半導體集成電路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例，通過比較可得：
1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度，因此，可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。
2.肖特基勢壘特性優越，容易實現良好的柵控特性的MES結構。
3.本征電阻率高，為半絕緣襯底。電路工藝中便于實現自隔離，工藝簡化，適合于微波電路和毫米波集成電路。
4.禁帶寬度大，可以在Si器件難以工作的高溫領域工。
