化學原料行業新材料系列報告之六

　　我國半導體芯片受制于人,大容量存儲迎來突破。2017年我國集成電路市場規模達到1.67萬億元,同比增長17.5%,但是國內集成電路市場主要依賴進口,進口額達到2601億美元,貿易逆差達到1932億美元。作為使用最為普遍的一種高端通用芯片,存儲器在集成電路細分市場中規模居首。由于越來越多經濟、社會、科技、軍事等信息和資源被存儲器儲存收集,極易被竊取和利用,存儲器作為信息存儲的核心載體,其安全性更受到高度重視。因此存儲芯片國產化已上升為涉及國家信息安全的戰略地位。同時從海外半導體產業發展路徑看,存儲器產業發展成為其實現國家半導體產業崛起的切入點。因此我國加大了對存儲器產業的投入,重點推進以長江存儲(武漢新芯)、合肥長鑫、福建晉華為代表的存儲器項目,2019年有望成為量產元年。

　　存儲器推動半導體銷售額高增,3D NAND 漸成主流。2014-2016年全球半導體銷售額基本變化不大,而2017年半導體銷售額同比增長21.6%,達到創紀錄的4122億美元,主要得益于存儲器市場的高速增長,2017年存儲器市場銷售額大幅增長61.5%,達到1240億美元。

　　數據中心、移動、汽車、物聯網等領域的發展使得對存儲速度和容量的要求不斷提高,為了突破2D NAND 的物理極限,三星、海力士、東芝等主流廠商將技術轉向3D NAND,根據IBS 預測3D NAND 市場將由2015年7.1%提升至2025年的98.2%,市場規模將達到685億美元。

　　大容量存儲對應高深寬比制造要求,ALD 沉積工藝更具優勢。隨著DRAM 制程的不斷縮窄以及3D NAND 的發展,對深寬比制造要求越來越高,ALD 沉積工藝相比傳統CVD 和PVD 具有更好的均勻性和臺階覆蓋能力,更適用于大容量存儲制造過程。

　　前驅體市場不斷擴大,3D 結構刺激需求增長。前驅體是半導體薄膜沉積工藝的主要原材料,主要應用于氣相沉積(包括PVD、CVD 及ALD),以形成符合半導體制造要求的各類薄膜層。

　　隨下游邏輯、存儲等芯片產業發展,前驅體總體市場規模將保持快速增長。根據日本富士經濟數據,全球前驅體銷售規模在2014年約7.5億美元,預計2019年達到約12.0億美元,CAGR 10%。根據Techcet 的報告,由于復雜的3D 結構極大的激發了對高k 沉積制程的需求,帶動高k 及金屬前驅體市場快速增長,2015年用于ALD/CVD 的高k 及金屬前驅體市場規模為1.85億美元,2019年增長為3.25億美元,CAGR 約15%。

　　投資建議:隨著存儲器容量及儲存速度需求的不斷提升,大容量3D NAND 將成為未來主流,刺激前驅體需求快速增長,同時國內長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等存儲器項目投產臨近,2019年有望成為量產元年,前驅體國產化勢在必行,率先切入產業鏈的企業將形成先發優勢,充分享受產業上升期的市場紅利。重點推薦:雅克科技:公司通過收購實現對韓國前驅體企業UP Chemical 100%控股,未來將填補國內半導體前驅體空白。UP Chemical前驅體主要用于存儲、邏輯芯片制造的CVD 和ALD 沉積技術,廣泛應用于高端制程下DRAM以及先進的3D NAND 的制造工藝,客戶包括海力士、三星、東芝、臺積電等全球主流半導體廠商,未來在大基金助力下,將加速導入國內長江存儲、中芯國際等,勢必迎來加速發展。

　　風險提示:3D NAND 市場滲透率不及預期,國內存儲器項目量產進度不及預期,前驅體企業國產化導入進度不及預期。