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  • 發布時間:2021-11-17 21:36 原文鏈接: 化學發光成像系統技術參數要求

    成像系統一般以CCD相機、暗室和軟件為主要組成部分。CCD是電荷耦合器件(Charge Coupled Device)的英文名稱縮寫,是一種光電轉換器件,是成像系統的核心部件。化學發光產生的光信號非常微弱,所以對化學發光成像系統的CCD性能要求比較高。衡量CCD好壞的指標,有分辨率,CCD尺寸,動態范圍,靈敏度,量子效率,信噪比等,其中像素數以及CCD尺寸是重要的指標。CCD感光器件的面積越大,即CCD面積越大,捕獲的光子越多,感光性能越好,信噪比越低。但是高像素不一定是好的CCD,其原因就是像素大小(Pixel Size),相同數目的像素,排列越密集,像素之間就越容易出現電流干擾,容易出現"噪點"等干擾成像質量的現象出現。事實證明,像素大小在7~10um2最為合適。

    化學發光還需要進行一段反應時間的積累才能獲得最佳曝光結果。而在曝光超過5-10秒時,CCD芯片就會發熱,如果沒有致冷設備的芯片,“熱”或者白的像素點就會遮蓋圖像,圖像到處可見雪花。CCD結構設計、數字化的方法等都會影響噪音的產生。當然通過改善結構、優化方法,同樣能減少噪音的產生。例如,VILBER公司推出的SenSo View技術就是一種在成像前消除背景噪音的技術。


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