高性能處理器目前普遍采用多核并行處理的架構,其性能不僅取決于處理核心的性能和數量,也取決于處理核心之間的通信效率。隨著片上集成的處理核心越來越多,多核處理器對片上網絡通信帶寬的要求越來越高,傳統金屬連線實現的片上網絡因其高功耗、低帶寬及高延遲逐漸成為多核處理器發展的瓶頸,光互連以其低功耗、高帶寬與低延遲被廣泛認為是一個非常有前景的替代方案。
光調制器是片上光互連的核心器件,其基本功能是實現信息從電域向光域的轉換。中科院半導體研究所科研人員通過優化波導結構和反向PN結,獲得具有高調制效率(VpL=1.26V?cm)的調制結構。通過優化設計獲得了低傳輸損耗的共面波導電極,通過端接的方式降低電信號反射,采用差分驅動降低工作電壓,在保證調制速率的前提下,顯著降低了功耗。
半導體所科研人員研制出了調制速率為26Gb/s,消光比為9dB,驅動電壓為0.5V,功耗為146fJ/bit的Mach-Zehnder硅光調制器,將載流子耗盡型Mach-Zehnder硅光調制器的功耗從國際上普遍的幾個pJ/bit降低了一個數量級。
| 單位 | 調制速率 (Gbit/s) | 消光比(dB) | 驅動電壓(V) | 長度(mm) | 功耗(pJ/bit) | 參考文獻 |
| Intel | 40 | 1.2 | 6.5 | 1 | 30 | OE 15 (2007) 660 |
| IBM | 10 | ~ | 7.6 | 0.2 | 5 | OE 15 (2007) 17106 |
| Kotura | 12.5 | 7.3 | 6 | 1 | >14.4 | OE 18 (2010) 7994 |
| Surrey | 50 | 2.2 | 6.5 | 1 | 4.2 | PTL 24(2012) 234 |
| Fujikura | 12.5 | 9 | 5 | 4 | >10 | OE 19 (2011) B26 |
| Alcatel-Lucent | 50 | 4.7 | 4.5 | 2 | >2 | OE 20 (2012)6163 |
| ETRI | 30 | 7.2 | 1.2 | 1 | - | OE 19 (2011) 26936 |
| IME | 10 | 8.74 | 5 | 4 | >12.5 | OE 19 (2011) 18029 |
| ISCAS | 12.5 | 7.7 | 1 | 2 | 2.4 | OE 20 (2012) 3209 |
| 26 | 9 | 0.5 | 2 | 0.146 | OE 20 (2012) 7081 |


載流子耗盡型Mach-Zehnder硅光調制器的結構及性能
7月24日至26日,第五屆半導體與電子技術國際研討會(ISSET2026)在安徽大學磬苑校區召開。會議設主旨報告、特邀報告、口頭報告、海報展示及評獎評優等環節,吸引國內外近200位專家學者、師生代表等......
2026年7月20-24日,作為人力資源和社會保障部專業技術人才知識更新工程2026年高級研修項目之一的“半導體材料與器件超精密分析技術”高級研修班在上海正式開班。本次高級研修班由中國科學院人才與人事......
2026年7月20-24日,作為人力資源和社會保障部專業技術人才知識更新工程2026年高級研修項目之一的“半導體材料與器件超精密分析技術”高級研修班在上海正式開班。本次高級研修班由中國科學院人才與人事......
2026年7月21日,作為人力資源和社會保障部專業技術人才知識更新工程2026年高級研修項目之一的“半導體材料與器件超精密分析技術”高級研修班在上海正式開班。本次高級研修班由中國科學院人才與人事局專項......
韓國科學技術研究院(KAIST)與成均館大學聯合研究團隊成功開發出一種新型半導體結構,使電流在二維材料中能夠無阻礙地流動。這一成果突破了長期困擾芯片行業的“電氣瓶頸”,有望大幅降低下一代半導體器件的接......
從材料研發到量產良率,化合物半導體的產業化之路,每一步都依賴于精準的“丈量”,自2025年完成對韓國領先化合物半導體昆圓檢測企業EtaMax的收購以來,HORIBA持續推進雙方技術整合,將自身先進光譜......
在全球半導體產業鏈競爭日趨激烈的今天,光刻膠作為芯片制造中的關鍵材料,其自主研發與國產化進程已成為國家科技自立自強的重要戰略組成。隨著我國光刻膠行業從追趕走向并跑甚至領跑,對材料研發中的精準分析需求也......
有記者問:3月6日,安世中國發布客戶公告稱,近期安世荷蘭批量禁用安世中國員工辦公賬號,導致部分辦公系統無法使用,影響部分生產流程。請問商務部對此有何評論?答:我注意到有關報道。在中荷雙方推動下,聞泰科......
在一個隊列方陣中,如果突然缺了一個人,就會出現空位。這樣的“空位”一旦發生在第三代半導體(寬禁帶半導體)材料里就是點缺陷,雖然這樣的缺陷小到肉眼看不見,卻能直接影響芯片的性能。除了“空位”,寬禁帶半導......
記者2月4日從中電科電子裝備集團有限公司(以下簡稱電科裝備)獲悉,近日,由電科裝備下屬北京中電科公司自主研制的國內首臺套12英寸碳化硅晶錠減薄設備、襯底減薄設備成功發貨,順利交付行業龍頭企業,標志著國......