半導體的摻雜是為了提高半導體器件的電學性能，半導體的很多電學特性都與摻雜的雜質濃度有關。
純正的半導體是靠本征激發來產生載流子導電的，但是僅僅依靠本證激發的話產生的載流子數量很少，而且容易受到外間因素如溫度等的影響。摻入相應的三價或是五價元素則可以在本征激發外產生其他的載流子。
半導體的常用摻雜技術主要有兩種，即高溫（熱）擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類：第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質（如Si中的B、P、As）；第二類是產生復合中心的重金屬雜質（如Si中的Au）。
