通常情況下，芯片制造商會首先咋移動處理器上小試牛刀，以分攤新工藝的高昂成本嗎，比如基于 7nm EUV 的麒麟 990 5G SoC（面積接近 110 平方毫米）。盡管 AMD Zen 2 芯片看起來很大，但并非所有組件都采用 EUV 工藝生產。不過展望未來，它也更適合遷移至 5nm EUV 。
在臺積電試產的 CPU 和 GPU 芯片中，眼尖的網友，應該可以看出一些端倪，比如通過芯片可以達成的頻率來逆推良率。在 TSMC 公布的數據中，CPU 可在 0.7 V 電壓下實現 1.5GHz 主頻，并在 1.2 V 電壓下達成 3.25 GHz 頻率。
至于 GPU，圖中顯示可在 0.65 V 時實現 0.66 GHz 頻率，并在 1.2V 電壓下提升至 1.43 GHz 。
對于未來的芯片來說，支持多種通信技術，也是一項重要的能力。因此在測試芯片中，TSMC
還介紹了高速 PAM-4 收發器。此前，我們已在其它地方見到過 112 Gb / s 的收發器。而 TSMC 能夠以 0.76 pJ /
bit 的能源效率，達成同樣是速率。
若進一步推動帶寬，TSMC 還可在肉眼可見的公差范圍內取得 130 Gb / s 的成績，且此時能效為 0.96 pJ / bit 。（對 PCIe 6.0 等新技術來說是好事）
為了改進越來越復雜的 EUV 工藝，TSMC 在基于 193 nm 的 ArF 浸沒式光刻技術上花費了很多心思。曾經 28nm 制程的 30~40 道掩膜，現已在 14 / 10nm 上增加到了 70 道。有報道稱，一些領先的工藝，甚至超過了 100 道掩膜。好消息是，TSMC 在文中表示，其將在 10 曾以上的設計中廣泛使用精簡掩膜的新技術。
在 IEDM 上，TSMC 還描述了七種不同的晶體管供客戶挑選，包括高端的 eVT 和低端的 SVT-LL，uLVT、LVT 和 SVT（這三種都是低泄漏 / LL 的衍生版本），以及從 uLVT 大幅跳躍到的 eLVT 。