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  • 發布時間:2024-05-30 10:08 原文鏈接: 多靶位磁控濺射系統共享應用

    儀器名稱:多靶位磁控濺射系統
    儀器編號:21012328
    產地:美國
    生產廠家:科特·萊斯科公司
    型號:PVD75
    出廠日期:
    購置日期:2021-07-12


    所屬單位:集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝
    放置地點:微電子所新所一層微納平臺
    固定電話:62781090
    固定手機:13661079620
    固定email:douwz@tsinghua.edu.cn
    聯系人:竇維治(010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn)
    分類標簽:微納加工 半導體工藝 磁控濺射 材料制備
    技術指標:

    工藝腔配備冷泵,本底真空:10e-8 torr;成膜均勻性<3%;同時裝載5個靶位;全自動傳送片系統

    知名用戶:錢鶴教授,吳華強教授,陳煒教授,劉澤文教授。
    技術團隊:

    竇維治、韓冰、魏治乾

    功能特色:

    該設備的特點如下:本底真空可達到10E-8Torr量級;基片溫度可以控制在室溫~800℃;可實現6英寸及以下尺寸的硅片的濺射鍍膜;濺射鍍膜的粘附性好,片內均勻性能夠達到3%以下;可對多種材料進行濺射,與Lab18薄膜沉積系統靶材通用,目前主要有金屬、氧化物和氮化物薄膜,包括Pt、Ti、Al、Cr、Hf、Ta、Nb、V、Ni、Co、Pd、Al2O3、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、NbO2、IGZO、V2O5、TiN、W等

    樣品要求:

    6英寸以下樣品


    預約說明:

    實驗室的設備采用網上預約的方式、以先約先用為基本原則

    取消預約需提前2個小時通過網上取消預約

    項目名稱計價單位費用類別價格備注
    自助上機機時費元/小時自主上機機時費450.0


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