如何處理半導體(LED)廢水

隨著單個LED光通亮和發光效率的提高，即將進入普通室內照明、臺燈、筆記本電腦背光源、大尺寸LED顯示器背光源等市場廣闊。 LED生產過程中絕大部分廢水產生在原材料和芯片制造過程中，分為拉晶、切磨拋和芯片制造，主要含一般酸堿廢水、含氟廢水、有機廢水、氨氮廢水等幾種水質，在黃綠光晶片制造過程中還會有含砷廢水排出。 2、LED芯片加工廢水特點：主要污染物為LED芯片生產過程中排放的大量有機廢水和酸堿廢水，另有少量含氟廢水。有機廢水主要污染物為醇、乙醇、雙氧水;酸堿廢水中主要污染物為無機酸、堿等。 3、LED切磨拋廢水特點：主要污染物為大量清洗廢水，主要成分為硅膠、弱酸、硫酸、鹽酸、研磨砂等。 4、酸堿廢水排放：主要包括工藝酸堿廢水、廢氣洗滌塔廢水、純水站酸堿再生廢水，采用化學中和法處理。 含砷廢水：主要來自背面減薄及劃片/分割工序，采用化學沉淀法處理。 一般廢水：排放方式均為連續排放，主要指純水站RO濃縮廢水主要污染物為無機鹽類，采用生化法去除。 含氟廢水：主要清洗廢水中含有HF，使用混凝沉淀去除。 高氨氮廢水：使用折點加氯法，將廢水中的氨氮氧化成N2。投加過量氯或次氯酸鈉，使廢水中氨完全氧化為N2的方法，稱為折點氯化法，其反應可表示為： NH4+十1.5HOCl→0.5N2十1.5H2O十2.5H+十1.5Cl-5、案例： 5.1、LED生產加工之藍寶石拉晶廢水 污水水質、水量： 水量：480t/d;20t/h(24小時連續)廢水水質：PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標準(<污水綜合排放標準(GB8978-1996)表4標準)的要求。具體指標為：處理工藝酸堿廢水進入酸堿廢水調節池后與投加的藥劑進行中和反應，達到工藝要求后進入有機廢水調節池。人工收集到含氟廢水收集池，加藥劑進行沉淀。上清液達標排放，污泥排入污泥濃縮池處理。 利用有機廢水調節池的池容增加生化處理功能，向池內投加厭氧性水解菌，池內配置穿孔水力攪拌系統以加強傳質，為后繼處理單元提供部分水解處理服務。 廢水經過調節后經泵提升進入進入厭氧水解池。 厭氧水解池采用上向流布水形式，利用循環管網系統加強池底部的混流強度，提高反應器內的傳質效果。利用微生物的水解酸化作用將廢水中難降解的大分子有機物轉化為易降解的小分子有機物，將復雜的有機物轉變成簡單的有機物，提高廢水的可生化性，有利于后續的好氧生化處理。出水自流進入接觸氧化池。接觸氧化池的混合液進入二沉池進行泥水沉淀分離。為保證COD排放達標的處理要求，將二沉池出水導入BAF進行處理。生物曝氣濾池的出水流入清水池，為生物曝氣濾池提供濾料的反沖洗水，其余的清水達標排放。 5.2、LED生產加工之切磨拋廢水 污水水質、水量： 水量：432t/d;18t/h(24小時連續)廢水水質：1PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標準(<污水綜合排放標準(GB8978-1996)表4標準)的要求。具體指標為：處理工藝根據業主廢水的水質情況，在吸取以往同類廢水處理裝置設計的成功經驗和一些同類廢水處理裝置的實際運行經驗，設計污水處理主體工藝路線如下： 格柵池+清洗廢水調節池+反應池+物化沉淀池達標排放 污泥處理主體工藝采用工藝路線為： 污泥濃縮+污泥調理+板框壓濾泥餅外運 5.3、LED生產加工之芯片廢水 污水水質、水量： 有機廢水水量：19.4t/h(24小時連續)水質：PH值6.0-8.0無量綱 酸堿廢水水量：70t/h(24小時連續)水質：PH值4.0-11.0無量綱 含氟廢水水量：4t/h(24小時連續)水質：PH值2.0-4.0無量綱 氟化物≤200mg/L處理工藝酸堿廢水進入酸堿廢水調節池后與投加的藥劑進行中和反應，達到工藝要求后達標排放。含氟廢水收集調節后與投加的藥劑反應生成不溶性氟化物沉淀，上清液達標排放。