是減少離子碰撞損失。
若真空度低:大量氧會燒壞離子源的燈絲;會使本底增高,干擾質譜圖;引起額外的離子-分子反應,改變裂解模型,使質譜解釋復雜化;干擾離子源中電子束的正常調節;用作加速離子的幾千伏高壓會引起放電等。