我們IC的規格書中，細心的開發者會注意到最大占空比的說明：
說明我在應用設計時，允許最大占空比會達到75％；當我們反激的占空比大于50％會帶來什么？好的方面有哪些？不好的方面有哪些？
反激的占空比大于50％意味著什么，占空比影響哪些因素？
第一：占空比設計過大，首先帶來的是匝比增大，
主MOS管的應力必然提高。
一般反激選取600V或650V以下的MOS管，成本考慮。
占空比過大勢必承受不起。
上面通過公式已經有很好的說明了。
第二點：很重要的是很多人知道，需要斜坡補償，否則環路震蕩。
IC一般都有這個功能如下：
不過這也是有條件的，右平面零點的產生需要工作在CCM模式下，如果設計在DCM模式下也就不存在這一問題了。后面再講電源的補償設計！
這也是小功率為什么設計在DCM模式下的其中一個原因。當然我們設計足夠好的環路補償也能克服這一問題。
當然在特殊情形下也需要將占空比設計在大于50％，單位周期內傳遞的能量增加，可以減小開關頻率，達到提升效率的目的，如果反激為了效率做高，可以考慮這一方法。
我們在設計反激開關電源的時候VRO反射電壓的范圍為：70V－110V；如果選擇的是650V或700V的高壓MOS器件時，我的經驗設計推薦VRO＝90V左右！可靠性！！
注意在最大功率本設計／工作在CCM模式的最小VDC＝140V
最小輸入AC≈95VAC
也就是說我的設計在通常狀況下，電源工作是在DCM。
只有系統過載或輸入電壓＜95VAC時 系統進行CCM模式！
此時系統有較好的EMI效果；
因此可以看到對于反激的設計應用：當輸入電壓變化時，變換器可能會從CCM 模式過渡到DCM 模式，或從DCM模式過渡到CCM 模式；對于兩種模式，我們需要均在最惡劣條件下（最低輸入電壓、滿載）設計變壓器的初級電感Lm。由下式決定：
其中，fsw 為反激變換器的工作頻率，KRF為電流紋波系數，
其定義如下圖所示：
流過開關MOS管的電流波形及電流紋波系數
通常我們對于DCM 模式變換器，設計時KRF＝1。
對于CCM 模式變換器，KRF＜1。
KRF 的取值會影響到初級電流的均方根值（RMS），KRF 越小，RMS 越小，MOS 管的損耗就會越小，然而過小的KRF 會增大變壓器的體積，設計時需要反復衡量。
一般而言，設計CCM 模式的反激變換器：
寬壓輸入時（85～265VAC），KRF 取0．25～0．5；
窄壓輸入時（165～265VAC），KRF 取0．4～0．8 即可。
而實際我們的開關電源在工作過程中是在DCM與CCM兩種工作模式都會存在；其隨負載的變化而變換！
對于FLY設計：KRF取0．25～0．85的設計就OK！不需要明確的區分來設計變壓器的初級電感取值；因此一旦Lm 確定，流過MOS 管的電流峰值Idspeak和均方根值Idsrms 亦隨之確定：參考如下公式；
式中：
MOS管的導通損耗Pcond可以通過下面公式計算：
Rdson為MOS 管的導通電阻
接下來是變壓器的設計問題！
什么樣的變壓器才算是比較完美且適用的？變壓器決定了什么，影響了什么？
設計變壓器是各種拓撲的核心點之一，變壓器設計的好壞，影響電源的方方面面，有的無法工作，有的效率不高，有的EMC問題難解，有的溫升過高，有的極限情況會飽和，有的安規就過不了！
需要綜合各方面的因素來設計變壓器。
設計變壓器從哪里入手呢？
一般來說根據功率來選擇磁芯大小，有經驗的可參考自己設計過的，這個是最推薦的設計；沒經驗的只能按照AP算法去算，當然還要留有一定的余量，最后實驗去檢驗設計的好壞。
一般小功率反激推薦的用的比較多EE型，EF型，EI型，ER型，中大功率PQ的用的比較多，這里面也有每個人的習慣以及不同公司的平臺差異，需要根據自己公司的平臺和變壓器資源庫來選擇合適的型號。
實際設計中，由于充滿太多的變數，磁芯的選擇并沒有非常嚴格的限制，可選擇的余地很大。其中一種選型方式是，我們可以參看磁芯供應商給出的選型手冊進行選型。相關的選型參考下表：
注意FLY－反激變換器設計，對于多路輸出一定要注意負載調整率滿足需求，耦合的效果要好，比如采用并繞，均勻繞制，以及副邊匝數盡可能增多。