我國發現表面絕緣襯底PECVD法制備無需轉移單層石墨烯

　　大面積、高質量石墨烯在傳感器和透明導電應用方面有著重大需求，而化學氣相沉積法是一種被廣泛應用在金屬催化劑上生長石墨烯薄膜的方法。然而，由于石墨烯和金屬之間有著不同的熱膨脹系數（Cu：2.6×10^-5/ ℃， graphene：-2.0×10^-6/ ℃），生長過程中難免會產生皺紋和裂縫，降低單層石墨烯的質量。近年來，使用等離子體增強技術（PECVD）可以使甲烷在較低溫度下裂解為碳原子在金屬催化劑上沉降形成石墨烯薄膜，但是石墨烯薄膜表面會受到等離子的轟擊而產生缺陷和空洞。

無需轉移單層石墨烯制備流程示意圖及表征

　　中科院寧波材料所表面事業部功能碳素材料團隊開發了一種綠色環保、無需轉移、且能在較低溫度下制備單層高質量石墨烯的方法，并在表面粗糙不平的透明電極進行了應用。利用該技術已獲得可直接在石英片表面生長的無需轉移的高質量單層2.5英寸晶圓級石墨烯薄膜。本方法克服了傳統PECVD法生長的低質量石墨烯的困難，并且生長溫度為700℃，相對于傳統溫度降低了250℃，透光率可以達到96.7%，同時在毫米級的凹槽中生長上了可導電的石墨烯薄膜，這種無需轉移的石墨烯有助于推動高靈敏度傳感器/探測器和透明電極的發展。

　　與在金屬催化劑上制備并轉移的普通工藝方法相比，此方法可在石英片表面與鎳金屬接觸的界面催化原位生長出石墨烯薄膜，該技術有三個優勢：（1）生長溫度的降低可以減少預先鍍在基板上鎳膜的團聚現象；（2）鎳膜具有金屬屏蔽效應，生長在石英和鎳膜之間的石墨烯薄膜能避免等離子刻蝕；（3）可以避免在轉移過程中帶來的雜質污染和褶皺、裂紋等降低石墨烯質量的因素。

在毫米級凹槽石英片表面的可導電石墨烯薄膜

　　目前，相關工作已在碳材料領域國際著名期刊Carbon（2018，129，456-461）發表。該研究工作獲得國家自然科學基金(51422502，51621064，51573201，51501209，and 201675165)、寧波科技重大專項(2014S10001，2016B10038，and 2016S1002)，國家“青年千人計劃”和中科院“百人計劃”等資助。