掃描電鏡SEM／能譜儀EDS／WDS之定量分析ZAF修正

       所有固體樣品定量分析的方法都是利用一個已知成分的標樣，在多數情況下，（尤其金屬）純元素是適用的。無論是樣品還是標樣，都是在相同的試驗條件下檢測的。測出的相對強度比k，必需很精確，否則任何定量分析方法均會造成相同的誤差。
假設k已經精確獲得。由于存在幾種效應，必需對他們進行修正，
1、原子序數效應，用因子 Zi 表示，它反映了樣品和標樣對電子的散射和阻滯不同；

2、樣品內的X射線吸收效應Ai
3、熒光效應 Fi和在幾種特殊情況時的連續譜熒光。

Ci=(ZAF)i ki
Ci---感興趣元素的重量百分比。這個方法通常稱為 ZAF法。

Ai--吸收因子：由于入射電子束激發的X射線產生于樣品中的某個深度，所以這些x射線必需在樣品中穿行各自的路程才能到達探測器。在這段路程上，某些X射線由于與樣品中的各種元素的原子相互作用而受到吸收，因此最后到達探測器的X射線輻射強度降低了。
吸收修正因子
f（x）=I‘/I
I--在沒有被吸收時的總的X射線強度。
I'--產生的X射線被吸收后的實際強度
Ai=f（x）std/f（x）spec
f（x）std--標準樣品的標準吸收項
f（x）spec---樣品的標準吸收項。
Ai---吸收因子

任何元素i的吸收修正因子，與他的質量吸收系數、X射線檢出角度、加速電壓Eo、元素i的KLM輻射的臨界激發電壓、樣品的平均原子序數、平均原子量有關。

實際應用：
1、輸入參數的不準確會造成嚴重的分析誤差。輸入參數（質量吸收系數，探測信號取出角度，加速電壓。
2、為了減少這些誤差的影響，吸收因子硬挨大于或者等于0.7？
3、為了使得吸收影響最小，應該在低的過壓比和高的檢出角度下檢測樣品。
4、為了改善分析精度，特別是低原子序數的元素或者能量小于等于1kev的x射線，需要更精確的用實驗測定質量衰減系數和f(X)的函數。
如果樣品平整光滑，定量分析最主要考慮的是背底修正和準確的x射線檢出角。
檢出角的誤差主要影響吸收修正計算：計算誤差隨著檢出角度的減小而增大。一般檢出角度必須超過30°。
在多數的定量分析中，最重要的考慮是吸收因子 Ai，顯然合理的選擇掃描電鏡的工作條件和質量吸收系數小的X射線（過壓比小的X射線線系，從K-L-M，過壓比逐漸增大？）有助于減小必要的修正。

原子序數因子Z：
所謂的原子序數效應：背散射電子和電子衰減。他們都與靶中的平均原子序數有關。如果樣品和標樣的平均原子序數不同，必需進行原子序數修正。
 

酷塞
公式中，Ri和Ri'分別為標樣和樣品的背散射修正因子。

Ri=樣品中實際產生的總光子數 / 沒有背散射時產生的總光子數

Q--電離截面。
S--為電子在  l<E<50KV范圍內的阻止本領。
影響原子序數因子的主要變量是樣品和標樣的平均原子序數差。
特征熒光修正因子F：
如果樣品中元素j的特征x射線譜峰能量E，大于元素i的Ec，那么在進行元素i的修正過程中必需考慮附加熒光。由于元素j的x射線有足夠的能量二次激發元素i的X射線，所以必須做熒光修正。這樣元素i產生的X射線高于只由電子激發產生的量。但是當（E-Ec）大于5kev時，該修正可以忽略。

ZAF方法通常作為從相對測量強度數據獲得定量結果的手段，這個方法適用于各種樣品。但是該方法不適于應用小于1kev的x射線譜線進行分析，主要因為對某些必要的輸入參數，和他們修正模型的近似值認識不足。為此利用低能x射線譜線分析不如高能x射線譜線分析的精度好。

Scanning Electron Microscopy and X-ray microanalysis（J.I.Goldstein etc.)