<p> 離子阱(Ion trap)，由一對環狀金屬電極(ring electrod)和2個呈單葉雙曲面形的軸承端蓋金屬電極(end cap electrode)構成。在環狀金屬電極上添頻射工作電壓或加上交流電壓，左右2個軸承端蓋金屬電極接地裝置。慢慢擴大頻射工作電壓的zui低值，正離子進到不穩定區，由軸承端蓋極上的小圓孔排出來。因而，當頻射工作電壓的zui低值慢慢提高時，質荷比由小到大的正離子逐次清除并被紀錄而得到質譜分析圖。離子阱質譜分析能夠很便捷地開展多級質譜分析，針對化學物質構造的評定十分有效。這類由一對環金屬電極和2個單葉雙曲面端金屬電極產生的離子阱稱之為三維離子阱，正離子聚焦點的部位是在基地的一個點上，具備較為大的空間電荷效用，基本的三維離子阱的正離子儲存數量為幾百個。 為了防止空間電荷效用和簡單化金屬電極構造，之后大家應用四級桿的構造添加前后左右軸承端蓋的方法開發設計出線形離子阱，線形離子阱的正離子聚焦點在一條線上邊，與三維離子阱對比，提升了正離子的存儲量，提升了儀器設備的敏感度。線形離子阱有被稱作二位離子阱。</p>
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