電壓突變＆電流突變的兩種噪聲模式在開關過程中都會引起EMI的問題！SiC 其高的du／dt 更明顯！
SiC－MOS特性：
A．快的開關速度
B．低的開關損耗
C．高的du／dt
SiC－MOS在汽車電子的優勢：
A．功率損耗降低；效率高，提高電池續航能力；
B．高溫高壓高頻；更小體積
SiC－MOS在汽車電子的EMI問題：
A．更高的du／dt；di／dt
B．電力電子功率器件在EMI騷擾源端的電壓電流振蕩
那么我們設計的機理：
從噪聲源頭出發，了解寄生分布參數為線，通過路徑來優化EMI設計！我提供完整的電子線路的解決思路進行參考－如下所示；
EMI傳導的問題通過插入濾波器（共模電感＆磁環如圖示）進行優化；通過噪聲源特性／優化路徑進行EMI輻射的設計；
新能源汽車電子系統－最后再通過屏蔽連接線＆電纜布局走線同時優化EMI！達到最佳化的設計！參考思路如下：
雙絞線可以有效地屏蔽磁場干擾，屏蔽線可以有效地屏蔽靜電干擾；
關鍵的信號線，如SiC／IGBT門極驅動信號，CAN通信用雙絞線或雙絞屏蔽線等；
信號線屏蔽層單端接地，且應選擇干凈穩定的地，例如控制器外殼，車身，發送或接收端的地（抗干擾）；
動力線屏蔽層兩端接機箱和電機外殼，構成一個完整的屏蔽體，使共模電流不從其他導體返回（降干擾，這和信號線屏蔽層單端接地抗干擾不同）；
屏蔽層用航空接頭360°良好連接；
對重要的信號線，每根信號線分配一根地線；
動力線布線的環路面積越小越好；
動力線與信號線、控制線盡可能遠離，切忌近距離平行布線，否則要認真處理好各自的屏蔽層接地，套金屬波紋管；
敏感部件和系統盡量遠離強干擾源；
信號線要貼近底盤布線；
通過電器設備的合理布局，使布線盡可能短等等。
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杜佐兵
電磁兼容（EMC）線上＆線下高級講師
杜佐兵老師在電子行業從業近20年，是國家電工委員會高級注冊EMC工程師，武漢大學光電工程學院、光電子半導體激光技術專家。目前專注于電子產品的電磁兼容設計、開關電源及LED背光驅動設計。
2019年在電源網研討會和大家一起進行交流！
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