4. 拋光(Lapping)：因為剛剛切下來的wafer，表面一定有很多損傷，而且表面粗糙，所以這一步類似CMP功效用slurry去磨平，所以我們的wafer有時候也叫polish wafer。
5. 濕法蝕刻(wet etch)：因為剛才的拋光還是機械的磨平，所以還是無法完全去除損傷，所以需要一步化學反應去除表面缺陷。主要用4:1:3的HNO3+HF+CH3COOH(醋酸)。硝酸氧化，HF吃SiO2。
6. 退火(Anneal)：怕有晶格損傷，所以退火可以去除晶格損傷，一般用Ar氣體，所以我們有時候看到我們的flow用Ar anneal的wafer。用Ar的原因是因為Ar是惰性氣體不反應，不用H2的原因以前據說是會導致表面濃度發生變化，原因我也不知道。
到此wafer就做完了，賣給FAB了。一般國際上比較牛X的可以賣wafer的公司也就是MEMC，SEH，德國瓦克，LG，日本小松KEH，等等。還是小日本牛啊。
最后，再講下wafer的指標吧，你買wafer總要告訴別人你的要求是什么吧？純度到底不能含有那些東西吧。
一般Wafer的SPEC分為如下幾塊：
1. 通用指標: 包括生長方法(CZ)，晶向(100+/-1deg)，導電type (P-type)，摻雜原子(B)。
2. 電學指標: 阻值(T-like 8~12ohm.cm, U-like 15~25ohm.cm, 貌似intel是20~40ohm.cm)，少子壽命(life time: 200us)，阻值徑向梯度(Radium gradient) <=8%。
3. 化學特性: 氧濃度(13.7~16.8ppm，這個很重要，不能多也不能少)，碳的濃度(<0.3ppm，這個是越小越好)。
4. 結構特性：位錯(slip)，淺坑(shallow pits)，漩渦缺陷(Swirl，一般來自polish)，層錯(dislocation)，氧化誘生/堆垛層錯(OISF)，這些都是不能有的。一般情況dislocation和OISF可以介紹少量，但也不能超過3~10ea/cm2。
5. Wafer制備的要求: 背面損傷(吸雜,gettering)，氧化層背封(OX backseal)，退火(Anneal)。
6. 外觀指標：直徑(200mm+/-0.2mm)，Notch(110+/-1deg, depth 1~1.25mm, 92+/-3deg,etc)，打標(M13 std)，Edge profile (round)，厚度(725+/-20um, 29mil)，TTV (Total THK Variation: 5um)，Global TIR, BOW/WARP等等。
7. 其他特性：刮傷(Scratch)，霧化發霉(Haze)，COP(>=0.2um@<15ea)，金屬沾污，甚至包裝數量和要求以及lable等等。