文章為大家詳細介紹了晶振與晶體的參數。
1.晶振與晶體的區別
1) 晶振是有源晶振的簡稱，又叫振蕩器。英文名稱是oscillator。晶體則是無源晶振的簡稱，也叫諧振器。英文名稱是crystal。
2) 無源晶振(晶體)一般是直插兩個腳的無極性元件，需要借助時鐘電路才能產生振蕩信號。常見的有49U、49S封裝。
3) 有源晶振(晶振)一般是表貼四個腳的封裝，內部有時鐘電路，只需供電便可產生振蕩信號。一般分7050、5032、3225、2520幾種封裝形式。
2. MEMS硅晶振與石英晶振區別
MEMS硅晶振采用硅為原材料，采用先進的半導體工藝制造而成。因此在高性能與低成本方面，有明顯于石英的優勢，具體表現在以下方面：
1) 全自動化半導體工藝(芯片級)，無氣密性問題，永不停振。
2) 內部包含溫補電路，無溫漂，-40—85℃全溫保證。
3) 平均無故障工作時間5億小時。
4) 抗震性能25倍于石英振蕩器。
5) 支持1-800MHZ任一頻點，精確致小數點后5位輸出。
6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多種工作電壓匹配。
7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各種精度匹配。
8) 支持7050、5032、3225、2520所有標準尺寸封裝。
9) 標準四腳、六腳封裝，無需任何設計改動，直接替代石英振蕩器。
10) 支持差分輸出、單端輸出、壓控(VCXO)、溫補(TCXO)等產品種類。
11) 300%的市場增長率，三年內有望替代80%以上的石英振蕩器市場。
3. 晶體諧振器的等效電路
上圖是一個在諧振頻率附近有與晶體諧振器具有相同阻抗特性的簡化電路。其中：C1為動態電容也稱等效串聯電容;L1為動態電感也稱等效串聯電感;R1為動態電阻也稱等效串聯電阻;C0為靜態電容也稱等效并聯電容。
這個等效電路中有兩個最有用的零相位頻率，其中一個是諧振頻率(Fr)，另一個是反諧振頻率(Fa)。當晶體元件實際應用于振蕩電路中時，它一般還會與一負載電容相聯接，共同作用使晶體工作于Fr和Fa之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內調節晶體頻率。
4. 關鍵參數
4.1 標稱頻率
指晶體元件規范中所指定的頻率，也即用戶在電路設計和元件選購時所希望的理想工作頻率。
4.2 調整頻差
基準溫度時，工作頻率相對于標稱頻率的最大允許偏離。常用ppm(1/106)表示。
4.3 溫度頻差
在整個溫度范圍內工作頻率相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離。常用ppm(1/106)表示。
4.4 老化率
指在規定條件下，由于時間所引起的頻率漂移。這一指標對精密晶體是必要的，但它“沒有明確的試驗條件，而是由制造商通過對所有產品有計劃抽驗進行連續監督的，某些晶體元件可能比規定的水平要差，這是允許的”(根據IEC的公告)。老化問題的最好解決方法只能靠制造商和用戶之間的密切協商。
4.5 諧振電阻(Rr)
指晶體元件在諧振頻率處的等效電阻，當不考慮C0的作用，也近似等于所謂晶體的動態電阻R1或稱等效串聯電阻(ESR)。這個參數控制著晶體元件的品質因數，還決定所應用電路中的晶體振蕩電平，因而影響晶體的穩定性以致是否可以理想的起振。所以它是晶體元件的一個重要指標參數。一般的，對于一給定頻率，選用的晶體盒越小，ESR的平均值可能就越高;絕大多數情況，在制造過程中并不能預計具體某個晶體元件的電阻值，而只能保證電阻將低于規范中所給的最大值。