CMP（Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光）是機械削磨和化學腐蝕的組合技術，它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學腐蝕作用在被研磨的介質表面（如單晶硅片、集成電路上氧化物薄膜、金屬薄膜等）上形成光潔的平面，它克服了傳統的化學拋光所具有的拋光速度慢、容易導致拋光霧斑以及機械拋光所具有的易產生機械損傷、拋光精度低的缺點，并且可以根據需要對拋光的要素進行適當的控制，現已成為半導體加工行業的主導技術。
圖1是一種CMP設備簡圖。其基本組成部件是一個轉動著的圓盤和一個圓晶片固定裝置，兩者都可施力于圓晶片并使其旋轉，在研漿的幫助下完成拋光，研漿供應系統可以保證拋光墊的潤濕程度均勻，適當供應新的研漿保證其成分不變。
圖1 一種CMP設備簡圖
CMP技術所采用的設備及消耗品包括：CMP設備、CMP漿料、拋光墊、后CMP清洗設備、拋光終點檢測及工藝控制設備、CMP漿料分布系統、廢物處理和測量設備等，其中CMP漿料、拋光墊和拋光機是CMP工藝技術的關鍵要素。表1是典型的CMP漿料品種，其中SiO2CMP漿料的種類及用量最多。
表1 CMP漿料品種
iO2漿料的制備方法可以分為凝聚法和分散法。凝聚法是利用溶液中化學反應所生成的SiO2通過成核、生長而制得SiO2漿料；分散法是利用機械分散的方法將二氧化硅粉末在一定的條件下分散于水中而制得SiO2漿料。
利用分散法制備SiO2CMP漿料所選用的納米二氧化硅有沉淀法二氧化硅和氣相二氧化硅等，其中氣相二氧化硅是最理想的選擇。由于納米粉體制備技術的發展，特別是氣相法納米粉體制備技術和表面處理技術的發展，使得高純度、粒子粒徑大小和粒徑分布可控、表面性質可設計化生產成為可能。