氧化物半導體是通常容易成為絕緣體的氧化物，但卻具有半導體的性質。在眾多物質當中，最受關注的是“透明非晶氧化物半導體（TAOS：Transparent Amorphous Oxide Semiconductors）”。非晶IGZO（In-Ga-Zn-O）就是一個代表性例子。除了三星和LG顯示器等韓國企業外，日本的夏普、凸版印刷以及佳能等企業也在致力于TFT的應用開發。
TAOS類TFT的載流子遷移率高達250px2/Vs以上，特性不均現象也較小。因此，可驅動像素為“4K×2K” （4000×2000像素級）、驅動頻率為240Hz的新一代高清晰液晶顯示器。當前的標準技術——非晶硅類TFT以及作為新一代技術而被大力開發的有機半導體TFT因載流子遷移率只有數cm2/Vs以下，很難應用到上述用途中。即使是在有機EL顯示器領域，與開發案例較多的低溫多晶硅類TFT相比，實現大屏幕化時還是TAOS類TFT具有優勢這是因為AOS類TFT可以抑制有機EL面板中存在著的因TFT特性不均而導致的顯示不均現象。TAOS薄膜可通過濺射法形成，制造成本也容易降低。