步驟S1、提供一襯底，在所述襯底上沉積一層介電薄膜；
步驟S2、對所述介電薄膜進行圖案化，得到均勻排列的多個介電凸臺；
步驟S3、提供一反應室，將所述形成有介電凸臺的襯底放入反應室中并將所述反應室抽真空；
步驟S4、在所述介電凸臺及襯底上Chemicalbook生長緩沖層，在介電凸臺的阻擋下，所述緩沖層的橫向生長與縱向生長產生差異，使得所述緩沖層在每一個介電凸臺的上方對應形成一個凹槽；
步驟S5、在所述緩沖層上生長氮化銦，得到分別位于所述多個凹槽中的多個氮化銦柱，每一個凹槽中對應形成一個氮化銦柱。