應用
氮化銦(InN)發展成為新型的半導體功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半導體材料中，氮化銦具有良好的穩態和瞬態電學傳輸特性，它有最大的電子遷移率、最大的峰值速率、最大的飽和電子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的帶隙、最小的電子有效質量等優異的性質，這些使得氮化銦相對于氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更適合用于制備高頻器件，在高頻率、高速率晶體管的應用開發方面具有非常獨特的優勢，尤其在在制備太赫茲器件，化學傳感器、半導體發光二極管、全光譜太陽能電池等光電器件領Chemicalbook域具有巨大的應用價值。
制備
步驟S1、提供一襯底，在所述襯底上沉積一層介電薄膜；步驟S2、對所述介電薄膜進行圖案化，得到均勻排列的多個介電凸臺；步驟S3、提供一反應室，將所述形成有介電凸臺的襯底放入反應室中并將所述反應室抽真空；步驟S4、在所述介電凸臺及襯底上生長緩沖層，在介電凸臺的阻擋下，所述緩沖層的橫向生長與縱向生長產生差異，使得所述緩沖層在每一個介電凸臺的上方對應形成一個凹槽；步驟S5、在所述緩沖層上生長氮化銦，得到分別位于所述多個凹槽中的多個氮化銦柱，每一個凹槽中對應形成一個氮化銦柱。