浙江大學杭州國際科創中心招聘博士后

　　崗位職責分支1.

　　二維材料生長方向:

　　1. 大面積二維材料/薄膜（過渡金屬硫族化物、石墨烯、氮化硼等）的生長，有相關經驗者(cvd等)優先；新型二維材料的生長與探索；搭建生長設備等；

　　2. 對寬禁帶半導體方向有一定了解及有相關研究經歷者更加歡迎；

　　分支2.

　　二維材料異質界面的物理和化學方向:

　　1. 從事二維材料/二維材料、二維材料/寬禁帶半導體、二維材料/功能分子等異質界面上的物理和化學研究；探索電子學、光電或其他類型器件；

　　2. 對寬禁帶半導體方向有一定了解及有相關研究經歷者更加歡迎。

　　研究組簡介

　　浙江大學杭州國際科創中心（以下簡稱科創中心）是新時代浙江大學和杭州市全面深化市校戰略合作共建的重大科技創新平臺，是浙江省打造“互聯網+”、生命健康和新材料三大科創高地的重大標志性工程。中心聚焦物質科學、信息科學、生命科學的會聚融通，推動在微納尺度下多學科交叉的顛覆性技術革命，支撐引領未來高端制造和未來產業發展，打造長三角一體化發展的重要創新極，成為具有世界聲譽的國際化創新生態區和杰出人才匯聚地。

　　浙大杭州科創中心先進半導體研究院聚焦寬禁帶半導體領域的國際前沿和重大科學問題，瞄準國家在信息、能源等領域的重大戰略需求，依托長三角區域領先的產業優勢、浙江大學雄厚的科研實力和杭州科創中心創新的體制機制，著力打造一個國內領先、國際先進的前沿技術創新研發平臺，推動產學研深度融合發展。目前先進半導體研究院下設半導體材料研究室、功率器件研究室、封裝測試研究室，具有從材料到系統集成的全鏈條研發能力，擁有國際一流的大型儀器設備和超凈實驗室等研發設施。本研究組隸屬于浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室，主要研究方向是二維材料和寬禁帶半導體前沿交叉方向（例如在寬禁帶半導體上生長晶圓級二維材料，在二維材料上外延生長寬禁帶半導體，及兩者異質界面的物理和化學）， 并且和研究室內其他方向上展開合作。該研究室在半導體材料專家楊德仁院士指導下開展工作，研究室主任是皮孝東教授。

　　應聘要求1. 具有博士學位，品學兼優，身心健康；

　　2. 具有材料、物理、化學、微電子、光電等學科背景；

　　3. 近三年曾作為第一作者至少發表了1 篇具有一定影響力的研究論文。

　　4. 具有良好的團隊合作意識和獨立工作能力；

　　待遇

　　1. 選擇進入博士后工作站的研究人員原則上稅前年薪不低于40萬元人民幣（含地方政府人才補貼）；獲得國家自然科學基金、中國博士后科學基金和省級博士后科研項目資助者，杭州市、蕭山區財政給予相應的配套資助；博士后出站后留科創中心工作，可享受杭州市、蕭山區政府安家補助。

　　杭州市博士后補貼政策：

　　http://www.hangzhou.gov.cn/art/2020/5/21/art_1229051319_6951.html；

　　蕭山區人才補貼政策：

　　https://xsrb.xsnet.cn/epaper/htm ... _79498_12443370.htm 。

　　2. 參與科創中心重大課題研究并取得顯著成績的，可獲得額外資助或津貼。

　　3. 提供一流的實驗與科學研究條件。

　　4. 提供蕭山區人才公寓或科創中心公寓。

　　5. 符合杭州市有關規定的，協助解決杭州市集體戶口。

　　6. 在站期間，符合條件者可申報科創中心相關系列高級專業技術職務。

　　7. 符合杭州市高層次人才標準的，可協助解決子女入園入托問題。

　　申請材料1. 個人簡歷：學習工作經歷、主要研究工作內容等；

　　2．表明申請人研究能力和學術水平的成果（如學術論文、ZL、獲獎情況等）。

　　聯系方式聯系人：

　　王老師