(一)真空蒸鍍原理
(1) 真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料加熱并蒸發，使大量的原子、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面(升華)。
(2)氣態的原子、分子在真空中經過很少的碰撞遷移到基體。
(3)鍍料原子、分子沉積在基體表面形成薄膜。
(二)蒸發源
將鍍料加熱到蒸發溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱為蒸發源。最常用的蒸發源是電阻蒸發源和電子束蒸發源，特殊用途的蒸發源有高頻感應加熱、電弧加熱、輻射加熱、激光加熱蒸發源等。
(三)真空蒸鍍工藝實例 以塑料金屬化為例,真空蒸鍍工藝包括：鍍前處理、鍍膜及后處理。
真空蒸鍍的基本工藝過程如下：
(1)鍍前處理，包括清洗鍍件和預處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預處理有除靜電，涂底漆等。
(2)裝爐，包括真空室清理及鍍件掛具的清洗，蒸發源安裝、調試、鍍件褂卡。
(3)抽真空，一般先粗抽至6．6Pa以上，更早打開擴散泵的前級維持真空泵，加熱擴散泵，待預熱足夠后，打開高閥，用擴散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。
(4)烘烤，將鍍件烘烤加熱到所需溫度。
(5)離子轟擊，真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負高壓，離擊時間為5min～30min,
(6)預熔，調整電流使鍍料預熔，除氣1min～2min。
(7)蒸發沉積，根據要求調整蒸發電流，直到所需沉積時間結束。
(8)冷卻，鍍件在真空室內冷卻到一定溫度。
(9)出爐，．取件后，關閉真空室，抽真空至l × l0-1Pa，擴散泵冷卻到允許溫度，才可關閉維持泵和冷卻水。
(10)后處理，涂面漆。 離子鍍技術最早在1963年由D．M．Mattox提出，1972年，Bunshah &Juntz推出活性反應蒸發離子鍍(AREIP)，沉積TiN,TiC等超硬膜，1972年Moley&Smith發展完善了空心熱陰極離子鍍，l973年又發展出射頻離子鍍(RFIP)。20世紀80年代，又發展出磁控濺射離子鍍(MSIP)和多弧離子鍍(MAIP)。
(一) 離子鍍
離子鍍的基本特點是采用某種方法(如電子束蒸發磁控濺射，或多弧蒸發離化等)使中性粒子電離成離子和電子，在基體上必須施加負偏壓，從而使離子對基體產生轟擊，適當降低負偏壓后，使離子進而沉積于基體成膜。 離子鍍的優點如下：①膜層和基體結合力強。②膜層均勻，致密。③在負偏壓作用下繞鍍性好。④無污染。⑤多種基體材料均適合于離子鍍。
(二)反應性離子鍍
如果采用電子束蒸發源蒸發，在坩堝上方加20V～100V的正偏壓。在真空室中導人反應性氣體。如N2、O2、C2H2、CH4等代替Ar，或混入Ar，電子束中的高能電子(幾千至幾萬電子伏特)，不僅使鍍料熔化蒸發，而且能在熔化的鍍料表面激勵出二次電子，這些二次電子在上方正偏壓作用下加速，與鍍料蒸發中性粒子發生碰撞而電離成離子，在工件表面發生離化反應，從而獲得氧化物(如TeO2：SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等)。其特點是沉積率高，工藝溫度低。
(三)多弧離子鍍
多弧離子鍍又稱作電弧離子鍍，由于在陰極上有多個弧斑持續呈現，故稱作“多弧”。多弧離子鍍的主要特點如下： (1)陰極電弧蒸發離化源可從固體陰極直接產生等離子體，而不產生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多個蒸發離化源。 (2)鍍料的離化率高，一般達60%～90%，顯著提高與基體的結合力改善膜層的性能。 (3)沉積速率高，改善鍍膜的效率。 (4)設備結構簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。
英文指phisical vapor deposition 簡稱PVD.是鍍膜行業常用的術語.
PVD(物理氣相沉積)鍍膜技術主要分為三類，真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對應于PVD技術的三個分類，相應的真空鍍膜設備也就有真空蒸發鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機這三種。
近十多年來，真空離子鍍膜技術的發展是最快的，它已經成為當今最先進的表面處理方式之一。我們通常所說的PVD鍍膜 ，指的就是真空離子鍍膜；通常所說的PVD鍍膜機，指的也就是真空離子鍍膜機。
物理氣相沉積（PVD）
物理氣相沉積是通過蒸發，電離或濺射等過程，產生金屬粒子并與反應氣體反應形成化合物沉積在工件表面。物理氣象沉積方法有真空鍍，真空濺射和離子鍍三種，應用較廣的是離子鍍。
離子鍍是借助于惰性氣體輝光放電，使鍍料（如金屬鈦）氣化蒸發離子化，離子經電場加速，以較高能量轟擊工件表面，此時如通入CO2，N2等反應氣體，便可在工件表面獲得TiC,TiN覆蓋層，硬度高達2000HV。離子鍍的重要特點是沉積溫度只有500℃左右，且覆蓋層附著力強，適用于高速鋼工具，熱鍛模等。