采用高速掃描方式對整個圖形場掃描,利用快速束閘控制電子束通斷,實現選擇性曝光。例如美國Etec公司生產的MEBES系統采用高亮度熱場致發射陰極,在掩模版上可獲得400的束電流密度，工件臺在X方向作連續移動時，電子束在Y
方向作短距離重復掃描，從而形成一條光柵掃描圖形帶。隨后工件臺在
Y方向步進，再描繪相鄰的圖形帶。激光干涉儀對工件臺位置進行實時監測并補償行進中的工件臺的位置誤差。由于采用了工件臺連續移動、大束斑快速充填、高亮度熱場致發射陰極等技術，極大地提高了掃描系統生產率，且生產率不受圖形密度的影響。