1、 振動模式與頻率關系：
基頻
1～35MHz
3次泛音 10～75MHz
5次泛音 50～150MHz
7次泛音 100～200MHz
9次泛音 150～250MHz
2、 晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。
"信號源+電平表"功能由網絡分析儀完成
Ri、R0：儀器內阻：一般為50Ω
R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求，應按上圖連接。
3、 工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時，應考慮設備工作引起的溫升容限。當對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設計的。
4、 負載電容與頻率牽引：在許多應用中，都有用一負載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環回路及調頻應用中非常必要，大多數情況下，這個負載電抗呈容性，當該電容值為CL時，則相對負載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調元件由DL1調至DL2時，相對頻率牽引為：
DL1，L2= C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。
5、 負載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經常工作在串聯諧振，在使用負載電容的地方，其負載電容值應從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
6、 激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應，導致可能出現寄生振蕩；嚴重熱頻漂；過應力頻漂及電阻突變。當激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標的不穩定。
7、 濾波電路中的應用：應用于濾波電路中時，除通常的規定外，更應注意其等效電路元件的數值和誤差以及寄生響應的位置和幅度，由于濾波晶體設計的特殊性，所以用戶選購時應特別說明。