制備
將高純Pb粉與Te粉按化學劑量比(1∶1)混合,粉壓成型后,將樣品裝入高壓腔體中。組裝腔體中用石墨作加熱管,用葉臘石做絕緣管,合成壓力為4.0GPa,溫度1200K,停止加熱后樣Chemicalbook品的冷卻速率60K/s,合成出PbTe平均晶粒尺寸為1000nm。樣品的電導率為6×10-5Ω·m,熱導率值為1.4w/m.k。
用途
具有半導體性能。用作紅外探索器件和溫差電致冷的材料。