碲化鎘是由碲和鎘構成的一種重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半導體材料。
分子式為CdTe，其晶體結構為閃鋅礦型，具有直接躍遷型能帶結構，晶格常數0.6481nm，熔點1092℃，密度5.766g/cm3，禁帶寬度1.5eV(25℃)，能帶構造為直接型，電子遷移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴遷移率(25℃)80cm2/(V·s)，電子有效質量0.096，電阻率103～107Ω·cm。以高純碲和鎘為原料，脫氧后合成碲化鎘，再用垂直定向結晶Chemicalbook法或垂直區熔法生長成單晶或多晶。
單晶用于制作紅外電光調制器、紅外探測器、紅外透鏡和窗口、磷光體、常溫γ射線探測器、太陽能電池及接近可見光區的發光器件等，碲化鎘太陽能電池，較單晶硅太陽能電池有制作方便，成本低廉和重量較輕等優點。Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料是重要的半導體材料，高、力學性能差，至今難以制成大直徑體單晶，許多材料多作成外延薄膜。已獲重要應用的有碲化鎘、硫化鎘、硒化鋅、硫化鋅以及本族的固溶半導體材料碲鎘汞(Hg1-xCdxTe)等。