若外加磁場與外加電場垂直，稱為橫向磁阻效應；若外加磁場與外加電場平行，稱為縱向磁阻效應。一般情況下，載流子的有效質量的馳豫時時間與方向無關，則縱向磁感強度不引起載流子偏移，因而無縱向磁阻效應。
磁阻效應主要分為：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，異向磁阻，穿隧磁阻效應等
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)
對所有非磁性金屬而言，由于在磁場中受到洛倫茲力的影響，傳導電子在行進中會偏折，使得路徑變成沿曲線前進，如此將使電子行進路徑長度增加，使電子碰撞機率增大，進而增加材料的電阻。磁阻效應最初于1856年由威廉·湯姆森，即后來的開爾文爵士發現，但是在一般材料中，電阻的變化通常小于5%，這樣的效應后來被稱為“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。
巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)
所謂巨磁阻效應，是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應，它產生于層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的散射最小，材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時，與自旋有關的散射最強，材料的電阻最大。
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)
超巨磁阻效應（也稱龐磁阻效應）存在于具有鈣鈦礦(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數個數量級的變化。其產生的機制與巨磁阻效應(GMR)不同，而且往往大上許多，所以被稱為“超巨磁阻”。 如同巨磁阻效應(GMR)，超巨磁阻材料亦被認為可應用于高容量磁性儲存裝置的讀寫頭。不過，由于其相變溫度較低，不像巨磁阻材料可在室溫下展現其特性，因此離實際應用尚需一些努力。
異向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)
有些材料中磁阻的變化，與磁場和電流間夾角有關，稱為異向性磁阻效應。此原因是與材料中s軌域電子與d軌域電子散射的各向異性有關。由于異向磁阻的特性，可用來精確測量磁場。
穿隧磁阻效應(Tunnel Magnetoresistance,TMR)
穿隧磁阻效應是指在鐵磁-絕緣體薄膜(約1納米)-鐵磁材料中，其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應。此效應首先于1975年由MichelJulliere在鐵磁材料(Fe)與絕緣體材料(Ge)發現；室溫穿隧磁阻效應則于1995年，由TerunobuMiyazaki與Moodera分別發現。此效應更是磁性隨機存取內存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)與硬盤中的磁性讀寫頭(readsensors)的科學基礎。