ICP-MS中使用的ICP系統和ICP-AES中使用的ICP系統差不多，僅有很小的改動。在ICP-MS中，炬管改為水平放置，為了控制等離子體相對于接地質譜系統的電位，對耦合負載線圈的接地點做了一些改變，以消除等離子體和接口之間的二次放電現象。這種二次放電現象將引起許多問題，如雙電荷干擾離子的增加、離子動能擴散、采樣錐離子的產生、錐的壽命減少等。
有關等離子體炬管以及射頻發生器等較為詳盡的內容請參考第8章8.2.1.1和8.2.1.2。
需要注意的是，ICP-MS使用的氬氣的純度非常重要，最好使用高純(99.99%以上)氬氣。氬氣純度差時，其所含的雜質氣體會對有些同位素產生質譜干擾。
ICP-MS對離子源的要求是：易于點火；功率穩定性高；發生器的耦合效率高；對來自樣品基體成分或不同揮發性溶劑引起的阻抗變化的匹配補償能力強。