科學家利用新的制造技術得到納米紫外LED

    美國國家標準技術局（NIST）的科學家通過和Maryland大學及Howard大學合作，發明了一種制造微小、高效率發光二極管（LED）的技術。
　　
    該LED發出的是紫外光，這對于很多納米技術包括數據存儲都非常重要。而且裝配過程也非常適于將來投入商業化生產。
　　
    這些納米級別的設備對于下一代高密度低成本科技（包括傳感器和光通信等）而言是不可缺少的。而紫外LED對于數據存儲和生物傳感非常關鍵。由氮化鋁、氮化鎵、氮化銦等半導體構成的納米線是制造這種LED的理想材料，但是NIST科學家Abhishek Motayed說：“目前LED使用的是單個制造技術，非常不適于推廣到商業化生產。”
　　
    因此NIST小組使用了批量生產技術，例如濕蝕刻、金屬沉積等。并且小組利用了電場來排列納米線，以消除逐個分離它們的這一精密又耗時的任務。
　　
    新型LED的最大特點是：它們由單一成分氮化鎵構成。每個LED包含p型氮化鎵薄膜和其上的n型納米線。因此，由相同成分形成的p-n結相比成分不同的擁有更高的效率，而且耗電量更低。
　　
    當在p-n結上施加了合適的電壓時，它就會發出峰值為365納米的光，其發光范圍屬于紫外區域。小組制造并測試了超過40個這種LED，每個都顯示出相似的發光性能。同時新型LED還擁有良好的熱穩定性，在室溫下連續運作2小時效率也沒有下降。科學家們表示，他們的這一技術還能用于制造其它的納米結構。