稀磁半導體（Diluted magnetic semiconductors，DMS）是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素（transition metals，TM）取代后形成的磁性半導體。因為一般摻入的雜質濃度不高，磁性比較弱，因而叫做稀磁半導體，或者半磁半導體。因兼具有半導體和磁性的性質，即在一種材料中同時應用電子電荷和自旋兩種自由度，因而引起科研工作者的廣泛關注，尚處于研究階段。存在的問題集中于稀磁半導體的磁性來源，倘若研究結果與人設想的相同，則必將給計算機領域帶來一場新的革命。
稀磁半導體兼具半導體和磁性材料的性質，使同時利用半導體中的電子電荷與電子自旋成為可能，為開辟半導體技術新領域以及制備新型電子器件提供了條件。盡管對于DMS材料應用的研究尚處于實驗探索階段，但已展示出其廣闊的應用前景。如將DMS材料用作磁性金屬與半導體的界面層，實現自旋極化的載流子向非磁性半導體中的注入，可用于自旋極化發光二極管的制造。而對于某些鐵磁層/無磁層的多層異質結構，如GaMnAs/AlGaAs/GaMnAs等，通過調節外部參數如溫度、電場等，可控制半導體層中的載流子濃度以及磁性層間的磁耦合，這種特性能夠應用于制造磁控、光控的新型超晶格器件。