第三代半導體龍頭共話“換道超車”

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，被稱為“未來電子產業基石”。近日，上交所科創板新質生產力行業沙龍第二期聚焦第三代半導體產業領域，匯聚華潤微、芯聯集成、天岳先進等3家半導體頭部企業，及多家證券公司、基金管理公司、QFII等機構，深入交流第三代半導體的性能優勢、應用場景、產業化進程、發展趨勢，探討行業“換道超車”的機遇與挑戰。

　　第三代半導體龍頭涌現

　　據天岳先進董事長宗艷民介紹，相較于傳統半導體材料，第三代半導體材料具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

　　第三代半導體在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網、高速軌道交通等領域具有廣闊的應用前景。在技術、市場與政策驅動下，近年來國內涌現出多家第三代半導體領域的龍頭公司。

　　作為專注于功率半導體的IDM公司，華潤微早在多年前就布局了第三代半導體。華潤微總裁李虹表示，公司目前6英寸的碳化硅和氮化鎵晶圓線均已穩定量產，如碳化硅JBS、碳化硅MOS能比肩國際先進水平，向在工業和汽車領域的較多標桿客戶批量出貨。

　　芯聯集成同樣積極布局第三代半導體。據公司總經理趙奇介紹，2024年公司還將建成國內首條8英寸碳化硅MOSFET產線，該業務對公司營業收入的貢獻還將持續快速提升。

　　“自成立以來，天岳先進集中精力做好一件事，就是要把材料做出來，能夠產業化，還要趕超海外。目前這個目標我們已經做到了。”宗艷民表示。

　　從進口替代到加速出海

　　目前，全球第三代半導體行業整體處于起步階段，并正在加速發展。與會嘉賓紛紛表示，相比硅基半導體，我國在第三代半導體領域和國際上處于同一起跑線，有望實現“換道超車”。

　　李虹認為，從事碳化硅襯底和外延的國內頭部廠家從產量、質量上已經接近國際先進水平，未來基于規模化、良率提升等成本進一步下降，將非常具有競爭力。

　　趙奇亦表達了相似觀點，在器件領域，國內企業碳化硅二極管、氮化鎵器件都已實現國產化，未來進口替代數量將進一步提升。

　　從材料端來看，天岳先進在半絕緣襯底、車規級襯底應用已經走在前列。宗艷民表示：“目前碳化硅襯底不僅能夠滿足國內需求，而且還實現了向海外輸出。”

　　合力追趕國際水平

　　對于“碳化硅產業能否實現實質性突破”一問，與會嘉賓坦言“仍存在不小挑戰”，其根本在于性價比能否優于IGBT。

　　趙奇認為，只有當碳化硅器件的成本達到對應IGBT器件成本的2.5倍以下時，才是碳化硅器件大批量進入商業化應用的時代。襯底、外延、器件生產的良率不斷提升，是需要整個產業鏈通力合作的一個重要降成本方向。

　　“相較于硅基材料，第三代半導體的制造難度大幅提升，缺陷率也明顯更高。另外在封裝階段，圍繞碳化硅特性的新封裝材料和封裝工藝仍在探索和攻關。”李虹進一步呼吁，“產業鏈上下游需要通力合作，盡最大的努力縮短并趕超國際水平。”

　　為進一步整合上下游資源，提升市場競爭力，行業頭部公司正在加緊產業布局，與會嘉賓也積極倡議產業政策加大對上下游合作的支持。宗艷民提出，希望政府能夠繼續引導產業鏈上下游加強合作，共同構建我們國家第三代半導體的競爭優勢。

　　未來競爭將更激烈

　　對于未來市場需求和增長空間，與會嘉賓均認為第三代半導體屬于藍海市場。

　　李虹判斷，碳化硅市場目前正處于成長期：一是碳化硅主要的應用市場正處于快速發展期；二是碳化硅、氮化鎵由于其高壓高溫高頻特性，在很多應用領域逐步替代硅基產品的市場份額，可以預期，未來一兩年碳化硅功率器件市場將有質的變化。

　　趙奇分析了未來碳化硅器件四個主要的應用場景，分別是新能源車的主驅逆變器、車載充電機、光伏/風力電站和儲能的逆變器、大于萬伏的超高壓輸配電。其認為，電動車800V超充技術升級后，2024年會是碳化硅器件大量使用到車載主驅逆變器的一年。

　　談及未來產業格局和市場博弈焦點，趙奇表示，“國內第三代半導體產業正在從‘春秋時代’進入‘戰國時代’，一定會出現激烈競爭，這也是產業成熟化的必由之路。市場博弈的焦點會是技術領先性、技術創新能力、規模大小、性價比。”

　　處于產業鏈上游的天岳先進，對于市場需求的爆發有著直觀的感受。宗艷民表示：“目前英飛凌、博世等海外頭部企業的擴產力度很強。期待國內的制造廠商持續加大擴產力度，抓住行業發展的機遇，鞏固中國市場的優勢。”

　　李虹同樣認為：“目前入局第三代半導體的企業眾多，大家都在積極努力往產業化的道路上耕耘。對于第三代半導體的前景和未來，公司充滿信心。”