不僅可以得到很高的濺射速率,而且在濺射金屬時還可以避免二次電子轟擊而使基板保持接近冷態,這對單晶和塑料基板具有重要的意義。磁控濺射可以用DC和RF放電工作,故能制備金屬膜和介質膜。但是它的缺點是:不能實現強磁性材料的低溫高速濺射,因為幾乎所有的磁通都通過磁性靶子,所以在靶面附近不能外加強磁場;絕緣靶會使基板溫度上升;靶子的利用率低,這是由于靶子的侵蝕不均勻的緣故。