(1)現場和原位EDXRF。
現場和原位EDXRF分為兩種: ①移動式譜儀,系指可以隨身攜帶的譜儀,用于現場分析; ②手持式譜儀, 要求整機質量小于1.5 kg,可實施原位分析。
現場EDXRF譜儀依據所用的激發源、探測器和電子學線路、譜儀的技術指標可劃分為四代。第一代約在 20世紀60年代中期,由英、美兩國有關單位研制的便攜式放射性核素源XRF譜儀,使用平衡濾光片技術, 僅能分析單個元素,且要測定兩次。第二代始于20世紀60年代末,采用多道分析器并用高斯擬合的方法進行解譜,一次可測量4個元素,20世紀80年代推岀的用小型X射線管激發、正比計數器和多道分析器商品儀器,一次可分析約20個元素;到了20世紀90年代,以電致冷半導體探測器(HgI2或Si-PIN)為主要特征的第三代譜儀,可實時進行解譜和以Sherman方程為基礎的基體校正,一次可分析約30個元素。自本世紀初以來,SDD和Si-PIN探測器經不斷完善,分辨率和可靠性均有所提高,并配有微型X射線發生器和微型X射線管,具有數字濾波、成型與穩譜等功能,使現場和可攜式XRF譜儀在多元素分析能力、準確度和檢出限、小型化等指標與第三代譜儀相比均有質的提高。
(2)高能和偏振EDXRF譜儀。
Harada等報道了實驗室用的高能EDXRF光譜分析裝置及應用于高原子序數元素分析的優點。2004年Nakai對高能X射線熒光光譜儀的近況和應用作了評述,他介紹了2003年PANalytical公司推出的偏振Epsilon 5 EDXRF光譜儀。該儀器在100 kV高電壓、功率600 W情況下工作,使用Gd 靶或Sc-W復合靶的X射線管,為了對周期表中Na~U元素進行選擇激發,配置了9個二次靶以滿足測量需要。使用高純Ge探測器,對MnKα 分辨率小于140 eV,可滿足1~120 keV能量區間的X射線檢測,對重元素的K系線測量效率接近100%,使 XRF分析技術用于準確測量10-7~10-6 g量級的Cd、Sb、Se、Ta、Tl、I及Pr~ Lu的13個稀土元素成為可能,在某種意義上彌補了目前WDXRF 譜儀的不足,可測定地質和古陶瓷樣品中60個以上的元素。
(3)全反射X射線熒光光譜儀(TXRF)。
日本學者在1971年將少量樣品放置在平滑的全反射支撐物上進行分析,此后TXRF技術在歐洲得到發展, 1980年TXRF商品儀器在德國問世。我國學者劉亞雯在20世紀80年代后期首先撰文介紹了這一技術,她所在課題組于1990年研制出有2個反射體的實驗裝置。此后我國其他學者相繼制造了用X射線光源和2個反射體的小型全反射譜儀、同步輻射為光源的全反射譜儀和三重全反射光路的TXRF譜儀。近幾年國內已能生產商品儀器。
(4)微束X射線熒光光譜儀(μ-XRF)。
μ-XRF具有原位、多維、動態和非破壞性特征,近20年來,廣泛用于生物樣品活體分析、文物分析和刑偵科學中指紋樣品鑒定等領域,已成為研究X射線光譜學的熱點。二維μ-EDXRF譜儀已商品化,通常是50 μm微聚焦源和會聚X光透鏡組成,使用Mo靶,最高電壓50 kV,最大電流1 mA,功率連續可調。近年來相繼研制岀三維μ-XRF譜儀。
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