菊池線 Kikuchi patterns 菊池正士（1902 年 8 月 25 日～1974 年 11 月 12 日，日本核物理學家，他最早(1928 年， 菊池正士 早于 TEM 的發明)發現了電子顯微學中出現的菊池花樣（Kikuchi patterns），并給出了正確 的理論解釋。 kikuchi line 是個體效應，一般要看到它，要求晶體完整并足夠厚。它的出現是基于嚴格 的布拉格反射，所以當轉動晶體時，kikuchi line 會一起轉動。菊池線對帶軸的敏感程度遠遠 高于衍射斑點，所以需要帶軸嚴格對正（比如照高分辨）時，必須使用菊池線。 拍攝菊池線太簡單了：把光聚一聚，找一塊兒別太薄的單晶，切換衍射。齊活！ 來自 Web Electron Microscopy Applications Software 的菊池線： 菊池線特征： (1) hkl 菊池線對與中心斑點到 hkl 衍射斑點的連 線正交， 而且菊池線對的間距與上述兩個斑點的 距離相等。Rd=Lλ (2) 一般情況下，菊池線對的增強線在衍射斑點 附近，減弱線在透射斑點附近。 (3) hkl 菊池線對的中線對應于(hkl)面與熒光屏的 截線。兩條中線的交點稱為菊池極，為兩晶面所 屬晶帶軸與熒光屏的交點。 (4) 傾動晶體時，菊池線好象與晶體固定在一起 一樣發生明顯的移動。精度達 0.1 ° 和高分辨像： 實例： 出現菊池線的條件 a) b) c) 樣品晶體比較完整 樣品內部缺陷密度較低。 在入射束方向上的厚度比較合適：1/2tc<t<tc 花樣隨樣品厚度增加的變化如下： 斑點 → 斑點 + 菊池線 → 菊池線 菊池線對的幾何特征： 菊池線對間距等于相應衍射斑點到中心斑點的距離； 菊池線對的中線可視為是(hkl)晶面與底片的交線； 線對公垂線與相應的斑點坐標矢量平行； 菊池線對在衍射圖中的位置對樣品晶體的取向非常敏感，詳見下圖 對稱入射，即 B//[uvw]時，線對對稱分布于中心斑點兩側； 雙光束條件，即 s=0，亮線通過(hkl)斑點，暗線通過中心斑點； S+g>0 時，菊池線對分布于中心斑點的同一側； S+g<0 時，菊池線對分布于中心斑點的兩側。 在旋轉帶軸的時候，沿著一個密排方向轉動，總可以達到一個低指數帶軸。 這是一個大致的轉動過程，通過樣品臺的傾轉，可以讓晶軸和透射束方向平行，最后達到電 子衍射的效果是各向均一，亮度四周一致。這樣才算轉正。這種是通過傾轉晶體樣品使衍射 點到位，也就是我說的倒易球。