人類對 TFT 的研究工作已經有很長的歷史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出結型場效應晶體管 (FET) 的基本定律,開辟了對固態放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又將絕緣柵結構引進場效應晶體管(后來被稱為 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT；隨后,又涌現了用 CdSe,InSb,Ge 等半導體材料做成的 TFT 器件.二十世紀六十年代,基于低費用,大陣列顯示的實際需求,TFT 的研究廣為興起.1973 年,Brody 等人 136 光 子 技 術 2006 年 9 月 首次研制出有源矩陣液晶顯示(AMLCD) ,并用 CdSe TFT 作為開關單元.隨著多晶硅摻雜工藝的發展,1979 年 后來許多實驗室都進行了將 AMLCD LeComber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源層,做成如圖 1 所示的 TFT 器件. 以玻璃為襯底的研究.二十世紀八十年代,硅基 TFT 在 AMLCD 中有著極重要的地位,所做成的產品占據了市場絕 大部分份額.1986 年 Tsumura 等人首次用聚噻吩為半導體材料制備了有機薄膜晶體管(OTFT) ,OTFT 技術從此開 始得到發展.九十年代,以有機半導體材料作為活性層成為新的研究熱點.由于在制造工藝和成本上的優勢,OTFT 被認為將來極可能應用在 LCD,OLED 的驅動中.近年來,OTFT 的研究取得了突破性的進展.1996 年,飛利浦公 司采用多層薄膜疊合法制作了一塊 15 微克變成碼發生器(PCG) ；即使當薄膜嚴重扭曲,仍能正常工作.1998 年, 的無定型金屬氧化物鋯酸鋇作為并五苯有機薄膜晶體管的柵絕 IBM公司用一種新型的具有更高的介電常數 緣層,使該器件的驅動電壓降低了 4V,遷移率達到 0.38cm2V-1 s-1.1999 年,Bell實驗室的 Katz 和他的研究小組制 得了在室溫下空氣中能穩定存在的噻吩薄膜,并使器件的遷移率達到 0.1 cm2V-1 s-1.Bell 實驗室用并五苯單晶制得 這向有機集成 了一種雙極型有機薄膜晶體管, 該器件對電子和空穴的遷移率分別達到 2.7 cm2V-1 s-1 和 1.7 cm2V-1 s-1, 電路的實際應用邁出了重要的一步.最近幾年,隨著透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半導體材料作為活性 層制作薄膜晶體管,因性能改進顯著也吸引了越來越多的興趣.器件制備工藝很廣泛,比如:MBE,CVD,PLD 等, 均有研究.ZnO-TFT 技術也取得了突破性進展.2003 年,Nomura等人使用單晶 InGaO3 (ZnO)5 獲得了遷移率為 80 cm2V-1 s-1 的 TFT 器件.美國杜邦公司采用真空蒸鍍和掩膜擋板技術在聚酰亞銨柔性襯底上開發了 ZnO-TFT,電 這是在聚酰亞銨柔性襯底上首次研制成功了高遷移率的 ZnO-TFT, 這預示著在氧化物 TFT 子遷移率為 50 cm2V-1 s-1. 2006 年, Cheng 領域新競爭的開始. 2005 年, Chiang H Q 等人利用 ZIO 作為活性層制得開關比為 107 薄膜晶體管. H C等人利用 CBD 方法制得開關比為 105 ,遷移率為 0.248cm2V-1s-1 的 TFT,這也顯示出實際應用的可能.