建立一套基于超高真空俄歇電子能譜的原位加熱系統,對GaN薄膜進行熱效應研究．隨著溫度的增加,Ga LMM和Ga MVV的動能減小．利用第一性原理計算,獲得理論的GaMVV俄歇譜.加熱過程由于晶格熱膨脹以及表面原子再構引起價電子態密度發生變化,從而導致價帶俄歇譜負移．
