金屬有機化學氣相沉積法生長AlN／Si結構界面的研究

用金屬有機化學氣相沉積法在Si（111）襯底上生長了AlN外延層。高分辨透射電子顯微鏡顯示在AlN/Si界面處存在非晶層,俄歇電子能譜測試表明Si有很強的擴散,拉曼光譜測試表明存在Si-N鍵,另外光電子能譜分析表明非晶層中存在Si₃N₄。研究認為MOCVD高溫生長造成Si的大量擴散是非晶層存在的主要原因,同時非晶Si₃N₄層也將促使AlN層呈島狀生長。